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原標題：台積電2nm工藝研發進展超預期 將採用環繞柵極晶體管技術
【TechWeb】9月22日消息，據國外媒體報導，在5nm工藝今年一季度投產，為蘋果等客戶代工最新的處理器之後，晶元代工商台積電下一步的工藝研發重點就將是更先進的3nm和2nm工藝。
在7月16日的二季度財報分析師電話會議上，台積電CEO魏哲家透露，他們3nm工藝的研發正在按計劃推進，仍將採用成熟的鰭式場效應晶體管技術（FinFET），計劃在明年風險試產，2022年下半年大規模投產。
同多次提及的3nm工藝相比，台積電目前並未公佈太多2nm工藝的消息，在近幾個季度的財報分析師電話會議上均未曾提及。
雖然台積電方面未對外公佈2nm工藝的消息，但外媒援引產業鏈人士透露的消息，還是進行過多次報導。
在最新的報導中，外媒援引產業鏈消息人士的透露報導稱，台積電2nm工藝的研發進展超出預期，快於他們的計劃。
這一消息人士還透露，台積電的2nm工藝，不會繼續採用成熟的鰭式場效應晶體管技術，而會採用環繞柵極晶體管技術（GAA）。
在此前的報導中，外媒提及的與台積電2nm工藝相關的信息，出現過兩次，均是在8月底。其一是台積電已在謀划2nm工藝的晶元生產工廠，將建在總部所在的新竹科學園區，台積電負責營運組織的資深副總經理秦永沛，透露他們已經獲得了建廠所需的土地。第二次是在上月底的台積電2020年度全球技術論壇上，他們透露正在同一家主要客戶緊密合作，加快2nm工藝的研發進展，相關的投資也在推進。
本篇文章引用自此: https://news.sina.com.tw/article/20200922/36405850.html
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